Što je LED rast epitaksijalnog vafera?

Ovo je ključni korak u proizvodnji LED čipova. Obično se koristi tehnologija Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). U ovom procesu, plinovi koji sadrže metal-organske spojeve kao što su galij (Ga), indij (In) i izvor dušika (N) koriste se za rast epitaksijalnih slojeva poluvodiča na materijalu supstrata (kao što je supstrat od safira) u visokoj -temperatura, niskotlačna reakcijska komora. Na primjer, za uobičajene LED diode na bazi galij nitrida (GaN), preciznim kontroliranjem brzine protoka reakcijskog plina, temperature i tlaka i drugih parametara, možete uzgajati epitaksijalne slojeve sa specifičnom strukturom i svojstvima, čija debljina je općenito u blizini nekoliko mikrona. Kvaliteta ovih epitaksijalnih slojeva izravno utječe na svjetlosnu učinkovitost LED-a, boju i druge karakteristike.