Koje su tehnologije za rast LED epitaksijalnog vafera?

1. Metoda epitaksijalnog rasta u tekućoj fazi:Uglavnom se koristi za tehnologiju Epitaksije u diodi crvene i zelene boje

2. Metoda epitaksijalnog rasta u plinskoj fazi:Uglavnom se koristi za žutu i narančastu emitaksijsku tehnologiju diode, poput rasta materijala za galij arsenid (GAASP)

3. proces rasta u dva koraka:trenutna komercijalna proizvodnja uobičajeno korištenih procesa, ali postoje problemi s uniformnošću epitaksijalne pločice, trend razvoja uključuje povećano opterećenje i visok stupanj automatizacije opreme s jednim čipom

4. Hidridna para faza epitaksijalna vafel (HVPE) Tehnologija:može brzo rasti guste filmove s niskom gustoćom pogrešaka, ali teško je precizno kontrolirati debljinu filma i korozivan je za opremu.

5. Selektivni rast epitaksijalnog vafera ili bočni epitaksijalni rast rasta:kroz fotolitografiju i tehnologiju jetkanja za formiranje sloja maske, kako bi se dodatno smanjila gustoća pogreške bitova i poboljšala kvaliteta kristala.